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OVE EN 60749-28

Ausgabedatum: 2018 03 01

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren -- Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model (CDM) - Device Level (IEC 60749-28:2017) (deutsche Fassung)

In diesem Teil der IEC 60749 wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Störanfälligkeit (Empfindl...
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Gültig
Herausgeber:
Österreichischer Verband für Elektrotechnik
Format:
Digital | 50 Seiten
Sprache:
Deutsch
In diesem Teil der IEC 60749 wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung oder Beeinträchtigung festgelegt, wenn diese einer definierten elektrostatischen Entladung (ESD) im feldinduzierten Charged Device Model (CDM) ausgesetzt werden. Alle gehäusten Halbleiterbauelemente, Dünnfilmschaltungen, akustischen Oberflächenwellen-Bauelemente (SAW; en: surface acoustic wave), optoelektronischen Bauelemente, integrierten Hybridschaltungen (HICs; en: hybrid integrated circuits) und Multi-Chip-Module (MCMs), die eines dieser Bauelemente enthalten, sind nach diesem Dokument zu bewerten. Um die Prüfungen durchzuführen, werden die Bauelemente in einem Gehäuse montiert, das ähnlich dem Gehäuse ist, welches in der endgültigen Anwendung erwartet werden kann.
OVE EN 60749-28
2018 03 01
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren -- Teil 28: Prüfung der Empfindli...
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