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DIN EN 62047-16

Ausgabedatum: 2015 12

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 16: Messverfahren zur Ermittlung der Eigenspannungen in Dünnschichten von MEMS-Bauteilen - Substratkrümmungs- und Biegebalken-Verfahren (IEC 62047-16:2015); Deutsche Fassung EN 62047-16:2015

In diesem Teil der IEC 62047 sind die Messverfahren festgelegt, um die Eigenspannungen dünner Schichten (Schichtspannungen) von MEMS-Bauteilen mithilfe des Substratkrümmu...
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Gültig
In diesem Teil der IEC 62047 sind die Messverfahren festgelegt, um die Eigenspannungen dünner Schichten (Schichtspannungen) von MEMS-Bauteilen mithilfe des Substratkrümmungs- (Waferkrümmungs-) oder des Biegebalken- (Cantilever-) Verfahrens zu ermitteln. Die Dünnschichten sollten auf einem Substrat abgeschieden sein, von dem die mechanischen Eigenschaften Elastizitätsmodul (Young-Modul) und Querkontraktionszahl (Poissonzahl) bekannt sind.
DIN EN 62047-16
2015 12
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 16: Messverfahren zur Ermittlung d...
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