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Norm
DIN EN 62047-9
Ausgabedatum: 2012 03
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS) (IEC 62047-9:2011); Deutsche Fassung EN 62047-9:2011
Diese Norm legt ein Prüfverfahren zur Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Gl...
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Gültig
Herausgeber:
Deutsches Institut für Normung
Format:
Digital | 26 Seiten
Sprache:
Deutsch
Fachgebiete
IT, Kommunikation & Elektronik, Elektromechanische Bauelemente für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Elektromechanische Bauelemente für elektronische und Telekommunikationsgeräte im Allgemeinen
IT, Kommunikation & Elektronik, Elektronische Bauelemente, Halbleiterbauelemente im Allgemeinen
Elektrotechnik & Lichttechnik, Elektromechanische Bauelemente für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Elektromechanische Bauelemente für elektronische und Telekommunikationsgeräte im Allgemeinen
Diese Norm legt ein Prüfverfahren zur Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Glas-Bonden (anodisches Bonden) usw. sowie anwendbare Strukturgrößen während des MEMS-Fertigungsprozesses bzw. der Assemblierung fest. Die anwendbare Waferdicke liegt im Bereich von 10 µm bis einigen Millimetern.
DIN EN 62047-9
2012 03
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit vo...
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