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Norm
ÖVE/ÖNORM EN 62417
Ausgabedatum: 2011 01 01
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62417:2010) (deutsche Fassung)
In dieser ÖVE/ÖNORM EN ist ein Prüfverfahren festgelegt, um den Betrag positiver mobiler Ionen in Oxidschichten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren auf Wa...
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Gültig
Herausgeber:
Austrian Standards International
Format:
Digital | 9 Seiten
Sprache:
Deutsch
ICS
In dieser ÖVE/ÖNORM EN ist ein Prüfverfahren festgelegt, um den Betrag positiver mobiler Ionen in Oxidschichten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren auf Waferniveau zu bestimmen. Das Prüfverfahren ist sowohl auf aktive als auch auf parasitäre Feld-Effekt-Transistoren anwendbar. Die mobile Ladung kann Degradationen des mikroelektronischen Bauelementes verursachen wie eine Schwellspannungsdrift des MOSFET oder eine Basisinversion in Bipolartransistoren.
ÖVE/ÖNORM EN 62417
2011 01 01
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Ha...
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